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BiCMOS au SiGe 9HP de 90 nm de GLOBALFOUNDRIES  

Description

CMC Microsystèmes offre l’accès à la technologie de BiCMOS au SiGe de 90 nm à rendement élevé de GLOBALFOUNDRIES (GF). La technologie de BiCMOS de 90 nm à rendement élevé de GF est particulièrement appropriée pour la conception de systèmes à signaux mixtes ou logiques à vitesse élevée. Le procédé est configuré pour un fonctionnement efficace à 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V ou 3,3 V à des fréquences RF. La technologie offre un niveau de bruit faible, un gain élevé et une opération de claquage avec une excellente stabilité thermique. La trousse de conception de procédé de la technologie comprend une vaste sélection d’éléments standards et propres à la RF qui facilitent un environnement de conception RF et numérique intégré. 

Pour obtenir de plus amples renseignements, veuillez consulter la page WEB GLOBALFOUNDRIES RF SOI Technologies. 

CMC Microsystèmes propose l’accès aux technologies de GLOBALFOUNDRIES par l’intermédiaire de ses séries de fabrication de plaquettes multi-projets avec partage des coûts. Pour accéder à cette technologie, veuillez communiquer avec fab@cmc.ca. 

Variante de procédé prise en charge par CMC :
Procédé à signaux mixtes / RF 1P10M configuré pour 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V ou 3,3 V et conçu pour une vitesse et un rendement élevés. 

Applications 

Technologie appropriée pour : 

  • les conceptions à signaux mixtes/RF  
  • les circuits numériques à haute vitesse  
  • les circuits à faible puissance 

Applications potentielles : 

  • les systèmes à micro-ondes RF  
  • les systèmes de communication optique 
  • les systèmes automobiles / aérospatiaux 
  • les infrastructures sans fil  
  • les systèmes de test et de mesure

Caractéristiques

  • 1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V   
  • Procédé 1P10M.  
  • FET natifs/HVT.  
  • Valeurs ft / fmax 310/370GHz.  
  • Technologie de CMOS Well double ou triple (NFET dans un pwell isolé).  
  • Condensateurs MIM à facteur Q élevé / double / MIM.  
  • Inductances spirales en série / parallèle.  
  • Diode à barrière de Schottky / PIN. 

Trousses de conception et bibliothèques

  • 90HPSIGE-9HP  V1.3_0.0

Tarification

Abonnés (universitaires au Canada)
Abonnés (universitaires au Canada, évalués par les pairs)
Universitaires à l’extérieur du Canada
ou de l’industrie

La tarification sera fournie après signature d’une entente de confidentialité tripartite. 

Communiquez avec fab@cmc.ca 

N/D

Communiquez avec CMC.

Communiquez avec fab@cmc.ca pour l’accès aux plaquettes multi-projets, ou avec sales@cmc.ca pour un cycle de fabrication dédié.

Licences

Communiquez avec licensing@cmc.ca.

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