CMC Microsystèmes offre l’accès à la technologie de BiCMOS au SiGe de 90 nm à rendement élevé de GLOBALFOUNDRIES® (GF). La technologie de BiCMOS de 90 nm à rendement élevé de GF est particulièrement appropriée pour la conception de systèmes à signaux mixtes ou logiques à vitesse élevée. Le procédé est configuré pour un fonctionnement efficace à 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V ou 3,3 V à des fréquences RF. La technologie offre un niveau de bruit faible, un gain élevé et une opération de claquage avec une excellente stabilité thermique. La trousse de conception de procédé de la technologie comprend une vaste sélection d’éléments standards et propres à la RF qui facilitent un environnement de conception RF et numérique intégré.
Pour obtenir de plus amples renseignements, veuillez consulter la page WEB GLOBALFOUNDRIES RF SOI Technologies.
CMC Microsystèmes propose l’accès aux technologies de GLOBALFOUNDRIES par l’intermédiaire de ses séries de fabrication de plaquettes multi-projets avec partage des coûts. Pour accéder à cette technologie, veuillez communiquer avec fab@cmc.ca.
Variante de procédé prise en charge par CMC :
Procédé à signaux mixtes / RF 1P10M configuré pour 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V ou 3,3 V et conçu pour une vitesse et un rendement élevés.
Applications
Technologie appropriée pour :
- les conceptions à signaux mixtes/RF
- les circuits numériques à haute vitesse
- les circuits à faible puissance
Applications potentielles :
- les systèmes à micro-ondes RF
- les systèmes de communication optique
- les systèmes automobiles / aérospatiaux
- les infrastructures sans fil
- les systèmes de test et de mesure