BiCMOS au SiGe 8HP de 130 nm GlobalFoundries ®

CMC Microsystèmes offre l’accès à la technologie de BiCMOS au SiGe de 130 nm à rendement élevé de GLOBALFOUNDRIES® (GF). Cette technologie est particulièrement appropriée pour la conception de systèmes à signaux mixtes, à vitesse élevée et à faible niveau de bruit. Le procédé est configuré pour un fonctionnement efficace à 1,2  V / 2,5  V à des fréquences RF. La technologie offre un niveau de bruit faible, un gain élevé et une opération de claquage avec une excellente stabilité thermique. Une caractéristique de métallisation en cuivre avancée offre une densité de courant plus élevée à haute température. La technologie de la trousse de conception du procédé comprend un vaste ensemble d’éléments standard et RF centrés qui facilitent un environnement de conception numérique et RF intégré.  Pour obtenir de plus amples renseignements, veuillez consulter la page Web GLOBALFOUNDRIES SiGe HP Technologies.  CMC Microsystèmes propose l’accès aux technologies de GLOBALFOUNDRIES par l’intermédiaire de ses séries de fabrication de plaquettes multiprojets avec partage des coûts. Pour accéder à cette technologie, veuillez communiquez avec fab@cmc.ca.  Variante de procédé prise en charge par CMC : Procédé à signaux mixtes / RF 1P8M configuré pour 1.2 V / 2,5 V et conçu pour les caractéristiques de RF à rendement élevé. 

Applications

Technologie appropriée pour : 
  • les conceptions à signaux mixtes / RF  
  • les circuits numériques à haute vitesse  
  • les circuits à faible puissance 
Applications potentielles : 
  • Systèmes RF, micro-ondes 
  • Systèmes de communication optique 
  • Systèmes automobiles / aérospatiaux 
  • Infrastructures sans fil
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