Conseil d'administration de CMC

M. Douglas Barlage, PhD

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Professeur, Faculté de génie, département de génie électrique et informatique

M. Barlage est actuellement professeur de génie électrique et informatique. Avant de se joindre à l’Université de l’Alberta, M. Barlage œuvrait à la North Carolina State University, où il a été parmi les premiers à produire un MOSFET basé sur le GaN à enrichissement. Ces efforts ont été reconnus par un prix CAREER pour jeune chercheur de la National Science Foundation des États-Unis. À cette époque, il menait des recherches sur l’utilisation de différents oxydes de métaux du groupe des terres rares dans une structure de MOSFET. Il a également codirigé une équipe qui a démontré la première repousse sur une aire sélective pour les drains sources dans les transistors à base de GaN. De plus, ses étudiants ont produit le MOSFET à base de GaN avec une source-drain barrière de Schottky le plus performant à ce jour. Cette réalisation s’est mérité le prix du meilleur article étudiant lors de l’International Symposium for Device Research. Avant d’œuvrer à la North Carolina State University, M. Barlage était gestionnaire du laboratoire des dispositifs novateurs chez Intel Corporation. Pendant cette période, il était membre d’une équipe qui a lancé le premier diélectrique de grille à valeur K élevée pour la logique, produit le plus petit transistor fonctionnel en 2000 (ce qui a valu à M. Barlage de figurer sur la liste TR35 du MIT en 2002 pour sa contribution à ces travaux) et exploré les limites de la technologie des transistors au moyen du transistor à trois grilles, comme solution de rechange réalisable aux composants électroniques basés sur les nanofils. En 1997, M. Barlage a reçu son doctorat de l’University of Illinois in Urbana-Champaign, qui portait sur la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction au InGaP/GaAs. Au cours de ses études, il a travaillé à la direction des capteurs des laboratoires Wright des Forces aériennes des États-Unis, sur des méthodes pour améliorer la stabilité thermique dynamique des dispositifs électroniques.

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