FAB

Procédé de fabrication au nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)

Description

  • Nitrure de silicium avec couche de dispositif de 400 nm d’épaisseur et couche d’oxyde tampon de 4,5 µm d’épaisseur
  • Système de lithographie par faisceau électronique de 100 keV permettant des fonctionnalités jusqu’à une profondeur de 120 nm
  • Dispositifs entièrement gravés (jusqu’à l’oxyde tampon) créés au moyen d’un procédé de gravure ICP-RIE anisotropique et d’un matériau de masque à faisceau d’électrons.
  • Métallisation TiW/Al à trois couches et chauffeur d’alliage TiW disponibles
  • Options de fenêtre d’oxyde métallique, de tranchée profonde pour couplage en périphérie et d’imagerie de microscope à balayage électronique disponibles
  • Prise en charge de la conception et de la fabrication d’un éventail de composants et de systèmes comprenant :
    • des guides d’ondes (bande);
    • des réseaux pour couplage de fibres;
    • une tranchée profonde et des raccords progressifs nanométriques pour le couplage en périphérie;
    • des multiplexeurs (diffraction ou guide d’ondes en réseau) et des filtres (résonateurs, réseaux de Bragg);

Caractéristiques

  • SiN, 400 nm sur une couche d’oxyde enfoui (BOX) de 4,5 µm
  • Système de lithographie par faisceau électronique de 100 keV pour guides d’ondes
  • Niveau métallique pour l’acheminement et le chauffeur de métal

Kits de conception et bibliothèques

Tarification

Tarif
Prix pour les abonnés
Remarque : Les prix indiqués sont en dollars américains et n’incluent pas l’assistance technique. Contactez fab@cmc.ca pour un devis.
Remarque : Des prix réduits sont disponibles pour les universitaires au Canada avec un abonnement au CMC. Vous devez vous connecter pour le voir.

Licences

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