FAB Technologies

Technologies disponibles

Grâce à des partenariats avec des fournisseurs, nous offrons des services de plaquettes multiprojets et des services de fabrication connexes dans une multitude de technologies. Consultez notre horaire de fabrication en ligne.

Toutes les technologies de prototypage demeurent ouvertes pour la recherche universitaire internationale et à la R-D industrielle.
Les universitaires au Canada sont admissibles à des prix réduits avec un abonnement. Vous devez vous connecter à votre compte pour le voir.
L’éligibilité à la révision des prix est limitée à un bloc de conception ou au mm² spécifié.

Tarifs abonnés

Features	Design Kits and Libraries	List Price (USD)*	Post_tag	Title
Transistors à effet de champ à jonction au silicium (JFET) avec grille non passivée, permettant le dépôt par l'utilisateur du matériau du capteur Modulation de courant avec grille supérieure Jusqu'à 10 exemplaires par motif (10 mm x 10 mm) Disponible sous forme de matrices nues ou emballées Le découpage en morceaux de 5 mm x 5 mm est disponible moyennant un coût supplémentaire.	Kit de conception : Plateforme de capteurs électroniques (ESP)	2 000 $ (pour 5 mm x 5 mm design) 4 130 $ (pour 10 mm x 10 mm design)	3IT, Emerging, Expérimental, MNI, MNI en vedette	3iT Plateforme de capteurs électroniques (ESP)
Tension de base de 1,2 V ou 2,5 V. Tension d’E-S de 2,5 V ou 3,3 V. Pile de base de 5 métaux avec jusqu’à 8 niveaux de métallisation. FET amélioré à rendement élevé. Valeurs ft/fmax 250/340 GHz. MIM et MIM double. Vt régulier et options de FET avec Well triple. Inductances spirales en série / parallèle. Composants passifs d’ondes micrométriques ou millimétriques. Oxyde de grille double mince/épaisse.		6 760 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 4 700 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 12 mm²)	GlobalFoundries, l'industrie, Microélectronique	BiCMOS au SiGe 8XP de 130 nm GlobalFoundries<sup>®</sup>
Tension du cœur : 1,2 V Tension d'E/S : 1,8 V / 2,5 V / 3,3 V Dispositifs haute tension 8 V Procédé 1P10M FET natifs/HVT ft/fmax : 310/370 GHz Technologie CMOS à double ou triple puits (NFET dans un puits isolé) Condensateurs MIM/Dual/MIM à haut Q Inductances en spirale en série/parallèle Diodes PIN / à barrière de Schottky	90HPSIGE-9HP V1.3_4.3	10 140 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 7 051 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 12 mm²)	GlobalFoundries, l'industrie, Microélectronique	BiCMOS au SiGe 9HP de 90 nm de GlobalFoundries<sup>®</sup>
Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) MBE à source de gaz Dépôt de vapeurs chimiques de métal organique (MMOCVD)	Voir le formulaire Opto Epitaxy	Communiquez avec [email protected].	Photonique	Épitaxie à semi-conducteur composé
Tension de cœur nominale de 0,4 V à 0,8 V Options d’E-S de 1,2 V, 1,5 V, 1,8 V ou 3,3 V Les quatre valeurs Vt principales du dispositif : SLVT, LVT, RVT et HVT Réglages de la polarisation du corps (RBB, FBB, ZBB) et polarisation adaptative du corps BEOL de RF avec piles métalliques très épaisses Condensateur APMOM	Version du PDK : V1.0_4.1 Bibliothèque de dispositifs Bibliothèque RF Bibliothèque ESD Ce nœud technologique offre une vaste gamme de propriétés intellectuelles (IP), notamment des bibliothèques de cellules standard avec différentes tensions de seuil, des bibliothèques d’E/S, des bibliothèques de polarisation du substrat (body-biasing) et des mémoires. Les bibliothèques doivent être obtenues directement auprès des fournisseurs (ARM, Synopsys, GLOBALFOUNDRIES).	24 075 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 17 997 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 4 mm²)	GlobalFoundries, l'industrie, Microélectronique	FDSOI 22FDX de 22 nm de GlobalFoundries<sup>®</sup>
Tensions logiques → Vnom : 0,8V, Vmax : 0,945V 4 TV : SLVT / LVT / RVT / HVT Offre IO : Dispositifs EG 1,2 V, 1,35 V, 1,5 V et 1,8 V Résistance de puits, résistance de précision MOL, condensateurs MIM / MIM4 / APMOM / MOS / VNCAP, ESD, eFuse, VPNP, VNPN et Diodes, Inducteurs, Ligne de transmission Diélectriques Low-K et Ultralow-K inter-niveaux Options d'emballage : Soudure C4, Bump pilier cuivre rond ou oblong, Micro pilier Bump	Version PDK : V1.0_7.0b Bibliothèque de périphériques Bibliothèque RF Bibliothèque ESD Ce nœud technologique propose une large gamme de blocs IP, notamment des bibliothèques de cellules standard avec différentes tensions de seuil, des bibliothèques d'E/S, des bibliothèques de gestion de l'alimentation, des mémoires, etc. Vous pouvez vous procurer ces bibliothèques directement auprès des fournisseurs (ARM, Synopsys, GLOBAL FOUNDRIES).	37 050 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 29 952 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 4 mm²)	GlobalFoundries, microelectronics fr, Microélectronique Featured	GlobalFoundries® 12 LP
5V CMOS Options haute tension de 5 V à 30 V EDMOS 8/10/12V isolé à faible Rdson MIM/APMOM, inducteur, ESD Options d'emballage : Pastilles WB, soudure C4	55BCDlite V1.0_13.0a	7 774 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 5 406 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 9 mm²)	GlobalFoundries, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	GlobalFoundries® BCDLite 55 nm
Tension du cœur : 1 V, 0,8 V (ULP) Tensions d'entrée/sortie : 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V (ZG) Dispositifs NFET et PFET UHVT à fuite ultra-faible Isolation par tranchée peu profonde (STI) Transistors LDFET, transistor bipolaire PNP vertical Résistance de puits, NCAP/PCAP/VNCAP/APMOM, inductance UTM30x, protection ESD, fusible électronique Passivation et diélectriques intercalaires à constante diélectrique faible (low-k) et ultra-faible (ultralow-k) Options de conditionnement : plots WB, soudure C4, bornes à piliers de cuivre	28SLPe V1.0_7.0a	17 238 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 12 093 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 4 mm²)	GlobalFoundries, microelectronics fr, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	GlobalFoundries<sup>®</sup> 28 SLPe
D'autres technologies GlobalFoundries sont disponibles. Veuillez contacter [email protected] si une technologie vous intéresse et si vous souhaitez obtenir un devis.		Contactez [email protected].	GlobalFoundries, Photonique	GlobalFoundries<sup>®</sup> Technologies - Autres disponibles
Intégration monolithique de la RF, de l'analogique et du SiPh (technologie CMOS SOI 45 nm) Image lithographique minimale de 40 nm (grille uniquement) Tensions du noyau : 0,9V, 1V Intégration de l'IMA couplée au groupe de travail sur la SOI Piles de métallisation BEOL - 9 niveaux Intégration de la rainure en V de Far-BEOL pour la fixation des fibres Bibliothèque d'éléments photoniques Bibliothèque d'éléments électroniques	45SPCLO_v1.0_1.0a, comprend : Bibliothèque d'éléments photoniques (séparateur de polarisation & ; rotateur, modulateurs, détecteurs, déphaseur, WGs, coupleur de bord, coupleur de réseau, etc.) Bibliothèque d'éléments électroniques (FET, résistances de précision, condensateurs, inductances, photodiodes, ESD, etc.)	161 476 $ (par modèle de 2 455 mm x 5 mm) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 256 360 $ (par motif de 5 mm x 5 mm)	GlobalFoundries, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	GlobalFoundries<sup>MD</sup> Silicon Photonics - GF Fotonix™ (45SPCLO)
Substrat de SOI Structure gravée en V à BEOL éloignée pour fixation de fibre 1P7M LVT	SiPH de 90 nm – 9WG comprend : bibliothèque d’éléments photoniques bibliothèque d’éléments électroniques plage de connexion	Séries de fabrication dédiées exclusivement. Communiquez avec [email protected].	GlobalFoundries, Photonique, Photonique au silicium, Photonique Featured	Photonique sur silicium 9WG de GlobalFoundries<sup>®</sup>
L'étanchéité sous vide poussé sans piège permet des facteurs Q de résonateur > 20 000 L'emballage efficace au niveau des plaquettes minimise la taille globale de la matrice Taille caractéristique de 1,5 μm dans une membrane de 30 μm d'épaisseur Le contrôle de la hauteur du peigne permet une détection hors plan TSV permet une conception compacte prête pour le co-emballage Livre 40 copies pour chaque conception MEMS à cavité scellée Couche de structure de 30 μm Vide poussé	Trousses de conception et bibliothèques de MIDIS de Teledyne DALSA	9 750 $ (par dessin de 4 mm x 4 mm)	l'industrie, MEMS, Teledyne	Plateforme MIDIS de Teledyne DALSA
Libération de HF en option et séchage au dioxyde de carbone supercritique. Permet aux utilisateurs de développer l'acoustique, les capteurs de mouvement, les MEMS optiques, etc.	Trousse de conception : Manuel de conception Poly MEMS pour MEMSPro.	À venir prochainement...	MEMS, MNI en vedette, Science Foundry	Post-traitement de Science Foundry pour Poly MEMS
Épaisseur des jonctions Al-Al-ALOx-AL Manhattan (30-x-60 nm) Densité de courant d'environ 2 uA/um² Substrat en saphir Couche Nb de 100 nm avec une résistivité de 4 ohms/carré et une inductance cinétique de 0,6 pH/carré Résonateurs avec un facteur Q d'environ 1 million T1 et T2 des qubits issus de séries de tests de 35 us Espace de conception de 5 x 5 mm	Kit de conception : 3iT Al_JJ_Nb quantique supraconducteur (SupraFab)	5 060 $ (par motif de 5 mm x 5 mm)	3IT, Emerging, Expérimental, MNI, MNI en vedette	Procédé à deux couches pour Al_JJ_Nb quantique supraconducteur 3iT
SiN, 400 nm sur une couche d’oxyde enfoui (BOX) de 4,5 µm Système de lithographie par faisceau électronique de 100 keV pour guides d’ondes Niveau métallique pour l’acheminement et le chauffeur de métal	Trousse de conception : Siemens L-Edit Photonics pour procédé de fabrication sur nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)	Communiquez avec [email protected].	l'industrie, Photonique, Photonique Featured, Quantum	Procédé de fabrication au nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)
SOI, 220 nm Si supérieur, 2 000 nm BOX lithographie de 193 nm pour guides d'ondes 6 implants pour modulateurs optiques Dépôt et implantation d'empreintes génétiques pour les photodétecteurs Deux niveaux de métal pour le routage et le chauffage métallique	Kit de conception : Siemens L-Edit Photonics pour le procédé de fabrication de composants photoniques sur silicium de l'Advanced Micro Foundry (AMF) Kit de conception : plateforme de conception photonique sur silicium Luceda-Tanner-AMF Kit de conception : Siemens Pyxis pour le processus de fabrication de photonique sur silicium de l'Advanced Micro Foundry (AMF)	22 000 $ (par dessin de 7.4 mm x 3 mm)	AMF Silicon Photonics Fr, l'industrie, Photonique, Photonique Featured, Quantum	Procédés de fabrication à usage général de la photonique sur silicium de AMF
SOI, couche supérieure de silicium de 220 nm, BOX de 2 000 nm Lithographie par faisceau d'électrons à 100 keV pour les guides d'ondes Un niveau métallique pour le routage plus un élément chauffant métallique Les options futures incluent des implants pour les modulateurs optiques Remarque : toute personne accédant à cette technologie est tenue de lire et de signer un accord de confidentialité spécifique à cette technologie. Si vous ne l’avez pas encore fait, veuillez contacter le Dr Susan Xu dès que possible pour entamer les démarches.	Trousse de conception : Mentor Graphics L-Edit Photonics pour procédé de fabrication de photonique sur silicium d’Applied Nanotools	Communiquez avec [email protected].	l'industrie, Photonique, Photonique Featured	Processus de fabrication NanoSOI d’Applied Nanotools (ANT)
Résonateurs en Nb avec un facteur Q d'environ un million Joints en aluminium		30 000 $ (per 5 x 5 mm² design)	l'industrie, Quantique Featured, VTT	Processus de jonction aluminium VTT
Triple couche pour jonction et couche métallique supplémentaire	Design Kit: VTT Niobium SWAPS Junction Process	Communiquez avec [email protected].	l'industrie, Quantique Featured, VTT	Processus de jonction SWAPS en niobium de VTT
1.2 V/3.3 V 1P8M mimcap		2 583 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 25 mm²)	microelectronics fr, TSMC	Processus de signaux mixtes CMOS RF de 0,13 µm de TSMC
Deux couches de structure épaisses SOI avec jusqu'à trois niveaux fonctionnels de l'option d'épaisseur de silicium. Cela permet des structures telles que des actionneurs à entraînement par peigne vertical. Les couches de base et supérieure de l'appareil sont connectées électriquement via l'interface de liaison, permettant le routage 3D des signaux électriques. La métallisation à l'or à faible contrainte à motifs sur la surface supérieure convient aux miroirs hautement réfléchissants et aux plages de contact pour le collage de fils d'or. Taille de conception 4 mm x 4 mm SOI MEMS Deux couches de structure Trois profondeurs de tranchées /li>	Trousse de conception : Micralyne MicraGEM-SiMD pour Tanner L-Edit Manuel de conception : Micralyne MicraGEM-SiMD (ICI-319)	Séries de fabrication dédiées exclusivement. Communiquez avec [email protected].	MEMS, Teledyne	Processus de Teledyne Micralyne Micralyne MicraGEM-Si™ MEMS
Tension de cœur de 0,9 V / 1 V / Tension d'entrée-sortie de 1,5 V / 1,8 V Procédé 1P8M FET natifs / HVT / SVT / UVT Résistance au siliciure N+ Condensateur naturel vertical Inductances BEOL Varactor à oxyde mince ft/fmax 290/410 GHz	45RFSOI-RF V1.2_2.0a	12 486 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 1 mm²) Remarque : Ce prix est réservé aux chercheurs universitaires. 10 166 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 12 mm²)	GlobalFoundries, microelectronics fr	RFSOI de 45 nm de GlobalFoundries<sup>®</sup>
Tension du cœur très faible à normale Tension d'E/S de 1,8 V / 2,5 V / 3,3 V 7 M / 8 M pas de mimcap		14 030 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 1,25 mm²)	microelectronics fr, Microélectronique Featured, STM	ST 28 nm FD SOI CMOS
3,3 V/5 V/50 V Le kit 2P4MH35B4D3 comprend : cellule standard E/S pastille de connexion	Kit de conception : Kit de conception pour le procédé CMOS AMS 0,35 micron Méthodologie de conception : flux de conception de circuits intégrés numériques Flux de conception : circuits intégrés analogiques Kit de méthodologie de conception : flux de conception Cadence pour circuits analogiques et à signaux mixtes (AMS) Flux de conception : conception de circuits intégrés numériques (par RMC) Pour accéder aux kits de conception et bibliothèques, veuillez contacter [email protected].	1 372 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 10 mm²)	AMS, l'industrie, Microélectronique, Microélectronique Featured	Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (à haute tension)
cellule standard IO autoroute	Kit de conception : Kit de conception pour le procédé CMOS AMS 0,35 micron Méthodologie de conception : flux de conception de circuits intégrés numériques Flux de conception : circuits intégrés analogiques Kit de méthodologie de conception : flux de conception Cadence pour circuits analogiques et à signaux mixtes (AMS) Flux de conception : conception de circuits intégrés numériques (par RMC) Pour accéder aux kits de conception et bibliothèques, veuillez contacter [email protected].	998 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 10 mm²)	AMS, l'industrie, Microélectronique	Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (de base)
3,3 V / 5 V 2P4M Revêtement antireflet	Kit de conception : Kit de conception pour le procédé CMOS AMS 0,35 micron Méthodologie de conception : flux de conception de circuits intégrés numériques Flux de conception : circuits intégrés analogiques Kit de méthodologie de conception : flux de conception Cadence pour circuits analogiques et à signaux mixtes (AMS) Flux de conception : conception de circuits intégrés numériques (par RMC) Pour accéder aux kits de conception et bibliothèques, veuillez contacter [email protected].	1 247 $ / mm² (Le prix minimum est pour un modèle de 20 mm²)	AMS, l'industrie, Microélectronique	Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (opto)
MEMS de surface Trois couches de structure	Trousse de conception : Manuel de conception Poly MEMS pour MEMSPro Trousse de conception : Procédé Poly MEMS pour CoventorWare	À venir prochainement...	l'industrie, MEMS, MNI en vedette, Science Foundry	Technologie de procédé Poly MEMS multi-utilisateur de Science Foundry
3.3 V/5 V 2P4M		540 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 25 mm²)	microelectronics fr, TSMC	Technologie de procédés CMOS de 0,35 µm de TSMC
1.8 V/3.3 V 1P6M mimcap LVT/native/HVT	Pour toutes les saveurs Pour la dimension X : la plus petite taille ne doit pas être inférieure à 0,6 mm Le rapport d'aspect (AR) de la matrice ne doit pas dépasser 3 pour 1 Pour la spécification TSMC 180 nm MS RF G Dimension Y requise de la puce (mm) (anneau d'étanchéité compris) : 2, 3 ou 5 si l'option métallique 1p6m_4X1U40KA (fortement recommandée) est utilisée ; 3 ou 5 si l'option métallique 1p6m_4X1N8KA est utilisée Densité de capteurs MiM, le cas échéant (fF/um²): 2 Tension d'entrée/sortie (V): 3,3 Épaisseur de meulage arrière (mils): 12	1 794 $ / mm² (Le prix minimum est pour un motif de 5 mm²)	microelectronics fr, TSMC	Technologie de processus CMOS de 0,18 µm de TSMC
1,0 V / 2,5 V 1P9M mim/momcap LVT/native/HVT	Bibliothèque de conception : Bibliothèque de plots de connexion GP TSMC 65 nm - tpbn65v Bibliothèque de conception : Bibliothèques de cellules standard GP TSMC 65 nm - tcbn65gplus Bibliothèque de conception : Bibliothèques numériques GP IO TSMC 65 nm - tpfn65gpgv2od3 Bibliothèque de conception : bibliothèques analogiques d'E/S GP TSMC 65 nm Kit de conception : TSMC 65 nm CMOS GP - CRN65GP Pour accéder aux kits de conception et bibliothèques, veuillez contacter [email protected].	8 324 $ / mm²	microelectronics fr, TSMC	Technologie de processus CMOS GP de 0,65 µm de TSMC
1.2 V/2.5 V 1P9M mim/momcap LVT/native/HVT	Bibliothèque de conception : Bibliothèque de plots de connexion GP TSMC 65 nm - tpbn65v Kit de conception : TSMC 65 nm CMOS GP – CRN65LP Bibliothèque de conception : Bibliothèques de cellules standard LP TSMC 65 nm – tcbn65lp Bibliothèque de conception : bibliothèques numériques d'E/S LP TSMC 65 nm – tpdn65lpnv2 Bibliothèque de conception : bibliothèques analogiques d'E/S LP TSMC 65 nm – tpan65lpnv2	8 324 $ / mm²	microelectronics fr, TSMC	Technologie de processus CMOS LP de 0,65 µm de TSMC
0,9 V (noyau)/1,8 V (E/S) 1p9m_6X1Z1U/1p10m_5X2Y2R Grille en métal à haute constante diélectrique (High-K) avec une épaisseur de couche AP = 28 KA	Cellule standard  Pour accéder aux kits de conception et bibliothèques, veuillez contacter [email protected].	19 806 $ / mm²	microelectronics fr, Microélectronique Featured, TSMC	Technologie de processus de CMOS de 28 nm de TSMC (calcul de haute performance et RF)
SOI MEMS Couche de structure de 10 um Métal piézoélectrique	Trousse de conception : Piezo MEMS pour Coventorware Trousse de conception : Manuel de conception Piezo MEMS de Science Foundry	À venir prochainement...	l'industrie, MEMS, Science Foundry	Technologie de processus Piezo MEMS de Science Foundry

* Les prix peuvent être modifiés sans préavis.

Process Name	VIE Price
AMF Silicon Photonics General-Purpose Fabrication Process	$13,047 per block
AMS 0.35 µm CMOS Process Technology (Basic)	$942/mm²
AMS 0.35 µm CMOS Process Technology (High-Voltage)	$1,296/mm²
AMS 0.35 µm CMOS Process Technology (Opto)	$1,178/mm2
GlobalFoundries 12 LP	$32,292/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 22FDX FDSOI 22 nm	$19,6098/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 45 nm RFSOI	$10,979/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 45nm RFE	$10,979/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 55 nm BCD	$5,942/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 90 nm BiCMOS SiGe 9HP	$7,750/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 130 CBIC	$4,134/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 130 RFGAN	$2,584/mm2 (min 4mm2)
GlobalFoundries 180MCU	$723/mm2 (min 4mm^2)
GlobalFoundries SiGe 8XP BiCMOS 130 nm	$5,167/mm2 (min 4mm^2)
GlobalFoundries® Silicon Photonics - GF Fotonix™ (45SPCLO)	$186,008 (per half block - 2.445 x 5mm2) $302,945 (per 5 x 5 mm2 block)
STM 28 nm FD SOI CMOS	$13,252/mm2 (Minimum charge is for a 1.25 mm2 design)
Science Piezo MEMs Process Technology	$3,229 (per 4.3 x 4.3 mm2 design)
Science Poly MEMs Multi-User MEMS Process Technology	$4,214 (per 4.75 x 4.75 mm2 design)
Science Post-Processing for Poly MEMs	$872 (per 4.75 x 4.75 mm2 design)
TSMC 0.13 µm CMOS RF Mixed-Signal Process	$2,325 (Minimum charge is for a 25 mm2 design)
TSMC 0.18 µm BCD CMOS Process Technology	$1,938/mm2 Required Y Dimension must be either 2 mm, 3 mm or 5 mm.
TSMC 0.18 µm CMOS Process Technology	$1,615/mm2 Required Y Dimension must be either 2 mm, 3 mm or 5 mm.
TSMC 0.35 µm CMOS Process Technology	$413/mm2 (Minimum charge is for a 25 mm2 design)
TSMC 28 nm CMOS Process Technology (HPC+RF)	$17,852/mm2 Required Y Dimension must be either 1 mm, 2 mm or 3 mm.
TSMC 65 nm GP CMOS Process Technology	$7,492/mm2 Required Y Dimension must be either 1 mm, 2 mm or 3 mm.
TSMC 65 nm LP CMOS Process Technology	$7,492/mm2 Required Y Dimension must be either 1 mm, 2 mm or 3 mm.
Teledyne DALSA MIDIS Platform	$8,775 (per 4 x 4 mm2 design)

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Pour toutes les saveurs

Pour la spécification TSMC 180 nm MS RF G

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