CMC Microsystems propose l’accès à la technologie BiCMOS SiGe haute performance 90 nm de GlobalFoundries® (GF). La technologie BiCMOS haute performance 90 nm de GF est particulièrement adaptée à la conception de systèmes logiques et à signaux mixtes à haute vitesse. Le procédé est configuré pour un fonctionnement haute performance à 1,2 V/1,8 V/2,5 V/3,3 V aux fréquences RF. Cette technologie offre un faible facteur de bruit, un gain élevé et un fonctionnement en rupture avec une excellente stabilité thermique. Le PDK de cette technologie comprend un large éventail d’éléments standard et spécifiques à la RF qui facilitent la mise en place d’un environnement de conception intégré pour le numérique et la RF.
Ce nœud technologique dispose d’une large gamme de propriété intellectuelle (IP) disponible, notamment des bibliothèques de cellules standard de différentes hauteurs, des bibliothèques d’E/S, des mémoires, etc. Les bibliothèques doivent être obtenues directement auprès des fournisseurs (ARM, Synopsys, GLOBALFOUNDRIES)
Pour plus d’informations, veuillez consulter la page web GlobalFoundries SiGe Technologies.
CMC Microsystems offre un accès aux technologies de GlobalFoundries via ses cycles de fabrication de plaquettes multiprojets à coûts partagés. Pour accéder à cette technologie, veuillez contacter [email protected].
Le type de procédé pris en charge par CMC est le suivant :
Procédé 1P10M mixte signal/RF configuré pour offrir des performances et une vitesse élevées.
Applications
Cette technologie est adaptée aux :
- Conceptions RF/signaux mixtes
- Circuits numériques à haute vitesse
- Circuits à faible consommation
Les applications potentielles comprennent :
- Systèmes RF et hyperfréquences
- Systèmes de communication optique
- Systèmes automobiles et aérospatiaux
- Infrastructures sans fil
- Systèmes de test et de mesure
