GlobalFoundries

Fabrication foundry

GlobalFoundries® BCDLite 55 nm

CMC Microsystems offre un accès à la technologie GlobalFoundries® 55 nm BCDLite (GF55BCDLite), conçue pour les applications nécessitant la technologie Bipolar-CMOS-DMOS (BCD), telles que les circuits intégrés de gestion de la puissance (PMIC) à haute performance. Ce procédé offre un RDS(on) optimisé pour une alimentation efficace et comporte des transistors LDMOS à faible consommation et […]

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GlobalFoundries® 28 SLPe

CMC Microsystems offre un accès à la technologie GlobalFoundries® 28 nm Super Low Power Extended (28SLPe), un processus idéal pour les applications SoC à faible consommation d’énergie, à signaux mixtes et RF. La technologie 28SLPe offre la meilleure efficacité énergétique de sa catégorie pour une large gamme d’applications. Sa technologie optimisée de transistors planaires de

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GlobalFoundries® Silicon Photonics – GF Fotonix™ (45SPCLO)

Le portefeuille de fonderie photonique silicium (SiPh) de GlobalFoundries® (GF) est conçu pour vous aider à fournir plus de données plus rapidement, plus loin et plus efficacement que les technologies CMOS traditionnelles. 45SPCLO, construit sur une plateforme SOI 45 nm, permet l’intégration monolithique de circuits RF, analogiques et Si-Photonic avec une grande efficacité et une

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GlobalFoundries® 12 LP

CMC offre un accès à la technologie FinFET 12 nm de GlobalFoundries®. La technologie 12LP est destinée aux applications SoC à haute performance et à faible consommation d’énergie, dans des environnements exigeants et à grand volume. La technologie de transistors FinFET 3D offre des performances de premier ordre et une efficacité énergétique accrue, avec des

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FDSOI 22FDX de 22 nm de GlobalFoundries®

CMC Microsystèmes offre l’accès à la plateforme de technologie de procédé pour FD-SOI (silicium sur isolant entièrement appauvri) 22FDX™ de 22 nm GLOBALFOUNDRIES® (GF)  pour les applications embarquées à faible puissance. La technologie de transistors FD-SOI de 22 nm présente un rendement semblable aux FinFET couplé à une efficacité énergétique élevée. Le Ft élevé / Fmax élevé, le gain automatique élevé et le courant élevé du 22FDX permettent

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BiCMOS au SiGe 8XP de 130 nm GlobalFoundries®

CMC Microsystèmes offre l’accès à la technologie de BiCMOS au SiGe de 130 nm à rendement élevé de GlobalFoundries® (GF). Cette technologie est particulièrement appropriée pour la conception de systèmes à signaux mixtes, à vitesse élevée et à faible niveau de bruit. Les solutions éprouvées sur silicium vous permettent d’optimiser les performances, d’intégrer de nombreuses fonctionnalités numériques et de RF et d’exploiter

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RFSOI de 45 nm de GlobalFoundries®

CMC offre l’accès à la technologie de CMOS de silicium sur isolant (SOI) RF de 45 nm de GLOBALFOUNDRIES® (GF). La technologie GF 45RFSOI cible les infrastructures de télécommunication mobile de nouvelle génération à rendement élevé. Cette technologie présente les avantages collectifs des caractéristiques propres au domaine RF, l’empilage de dispositifs, une BEOL optimisée et un substrat à résistivité élevée. Les

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BiCMOS au SiGe 9HP de 90 nm de GlobalFoundries®

CMC Microsystèmes offre l’accès à la technologie de BiCMOS au SiGe de 90 nm à rendement élevé de GLOBALFOUNDRIES® (GF). La technologie de BiCMOS de 90 nm à rendement élevé de GF est particulièrement appropriée pour la conception de systèmes à signaux mixtes ou logiques à vitesse élevée. Le procédé est configuré pour un fonctionnement efficace à 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V ou

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Photonique sur silicium 9WG de GlobalFoundries®

L’éventail de produits offerts par la fonderie GLOBALFOUNDRIES® (GF) en matière de photonique sur silicium (SiPh) vise à optimiser la quantité de données, la rapidité et l’efficacité, comparativement aux technologies à CMOS traditionnelles. 9WG est la première solution de fonderie SiPh de l’industrie. Reposant sur une plateforme de SOI de 90 nm, l’offre permet de tirer parti

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