FAB

Procédés de fabrication à usage général de la photonique sur silicium de AMF

Description

  • silicium-sur isolant, film de Si de 220 nm, oxyde enfoui de 2000  nm (BOX)
  • Plaquette à haute résistivité (>750 ohm-cm)
  • lithographie UV profonde de 193 nm pour les guides d’ondes, permettant des caractéristiques jusqu’à environ 140 nm
  • Deux gravures partielles et une gravure complète du silicium supérieur
  • 6 implants pour modulateurs optiques (P++, P+, P, N++, N+, N)
  • Dépôt et implantation de germanium pour les photodétecteurs
  • Deux niveaux de métal, pas de planarisation
  • Gravure à l’oxyde face avant pour exposer sélectivement les guides d’ondes, p. ex., pour les applications de détection
  • tranchée profonde avec facettes gravées pour le couplage des bords
  • Appuie la conception et la fabrication d’une gamme de composants et de systèmes comprenant:
    • modulateurs
    • détecteurs
    • guides d’ondes (bande ou crête)
    • grilles pour le couplage de fibres
    • tranchées profondes et les nano-cônes pour le couplage des bords
    • multiplexeurs (diffraction ou guide d’onde en réseau) et filtres (résonateurs, réseaux de Bragg)
    • résonateurs en anneau et à disque

Caractéristiques

  • SOI, 220 nm Si supérieur, 2 000 nm BOX
  • lithographie de 193 nm pour guides d’ondes
  • 6 implants pour modulateurs optiques
  • Dépôt et implantation d’empreintes génétiques pour les photodétecteurs
  • Deux niveaux de métal pour le routage et le chauffage métallique

Kits de conception et bibliothèques

Tarification

Tarif
Prix pour les abonnés

917 $ / mm2
(Le prix minimum est pour un modèle de 24 mm2)

Remarque : Les prix indiqués sont en dollars américains et n’incluent pas l’assistance technique. Contactez fab@cmc.ca pour un devis.
Remarque : Des prix réduits sont disponibles pour les universitaires au Canada avec un abonnement au CMC. Vous devez vous connecter pour le voir.

License

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