FAB

Épitaxie à semi-conducteur composé

Description

CMC soutient les services de prototypage pour développer une variété de structures sur des substrats InPGaAs et Ge par l’intermédiaire de fonderies industrielles standard, pour la recherche et les applications en optoélectronique et en photonique. Des tarifs subventionnés sont disponibles pour les abonnés CMC. 

Méthodes d’épitaxie

  • Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) sur les substrats GaAs et Ge 
  • MBE à source de gaz sur le substrat InP 
  • Dépôt de vapeurs chimiques de métal organique (MMOCVD) sur les substrats InPGaAs et Ge  

Structures épitaxiales typiques 

  • Lasers à puits quantiques multiples (MQW) 
  • Lasers à points quantiques 
  • Lasers à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) 
  • Modulateurs d’électro-absorption (EAM) 
  • Photo-détecteurs 
  • Cellules solaires 
  • Dispositifs optiques non linéaires 

Fonderies typiques 

  • Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques (CCFDP), Canada 
  • FBH, Allemagne 
  • Landmark Optoelectronics, Taiwan 
  • Azastra Optoelectronic, Canada 

 Les alliages disponibles, les spécifications des plaquettes, les métrologies et les tarifs varient selon les fonderies. Veuillez contacter zhang@cmc.ca pour de plus amples renseignements.

Charactéristiques

  • Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) 
  • MBE à source de gaz 
  • Dépôt de vapeurs chimiques de métal organique (MMOCVD) 

Trousses de conception et bibliothèques

Tarification

Abonnés (universitaires au Canada)
Abonnés (universitaires au Canada, évalués par les pairs)
Universitaires à l’extérieur du Canada
 ou de l’industrie

14 000 $
(par conception de  3  x  8  mm)

1000 $
(par conception de 3  x  8  mm)

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Communiquez avec fab@cmc.ca pour l’accès aux plaquettes multi-projets, ou avec sales@cmc.ca pour un cycle de fabrication dédié.

License

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