La technologie 130 RFGaN de GlobalFoundries est une plateforme RF en nitrure de gallium sur silicium (GaN-sur-Si) reposant sur l’infrastructure de fabrication éprouvée de 130 nm de l’entreprise. Elle permet l’intégration de dispositifs GaN à haut rendement avec des circuits de commande et de pilotage basés sur le silicium. En tirant parti de la tension de claquage élevée, de la grande mobilité électronique et de la densité de puissance supérieure du GaN, le procédé 130 RFGaN vise le développement d’amplificateurs de puissance RF linéaires et efficaces destinés aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes radar et aux systèmes de communication à large bande.
L’utilisation de substrats de silicium de 200 mm au sein de l’écosystème 130 nm bien établi de GF permet une mise à l’échelle rentable, de meilleures performances thermiques et une compatibilité avec les modules de procédé CMOS et BiCMOS. La plateforme convient ainsi aussi bien aux modules frontaux compacts qu’aux systèmes RF à forte puissance de signal. Dans l’ensemble, la technologie 130 RFGaN offre aux concepteurs une solution performante et efficace lorsqu’ils recherchent une puissance de sortie élevée, un fonctionnement à haute fréquence et la capacité de fabrication d’une fonderie de silicium à grand volume.
Pour plus d’information, consultez la page Web de GlobalFoundries intitulée GlobalFoundries Licenses GaN Technology from TSMC to Accelerate U.S.-Manufactured Power Portfolio for Datacenter, Industrial and Automotive Customers.
Applications
- Centres de données
- Énergie automobile
- Énergie renouvelable
- Charge rapide
