La plateforme FD-SOI 28 nm de STMicroelectronics offre une technologie de processus unifiée permettant l’intégration de SoC/ASIC à signaux mixtes, RF et numériques, avec des performances, une consommation d’énergie et une superficie (PPA) parmi les meilleures de leur catégorie.
En tirant parti des propriétés physiques des dispositifs UTBB FD-SOI (silicium sur isolant entièrement appauvri à corps ultra-mince), la plateforme prend en charge un fonctionnement à très basse tension et réduit considérablement les fuites en mode veille, tout en offrant une large plage de tensions de fonctionnement (pour les modes ultra-basse consommation, consommation réduite à une vitesse compétitive et haute performance nominale).
Les capacités de polarisation du corps (dans le sens direct et inverse) permettent en outre un réglage dynamique de la tension de seuil afin d’optimiser la vitesse ou les fuites, et le procédé prend en charge des dispositifs à tensions de seuil multiples, une intégration analogique/RF robuste et des mémoires à haute fiabilité — ce qui le rend adapté aux applications grand public à faible consommation d’énergie, à l’IoT/aux appareils portables, aux infrastructures réseau et aux applications automobiles.
Pour obtenir les dernières informations sur le produit, consultez le Catalogue de la technologie FD-SOI 28 nm.
Remarques :
- STMicroelectronics interdit l’utilisation de cette technologie 28 nm pour toute application médicale ou militaire.
- Le nombre prévu de puces livrées pour cette technologie est de 30.
