Microélectronique

FDSOI 22FDX de 22 nm de GlobalFoundries®

CMC Microsystems offre un accès à la plateforme technologique de procédé GlobalFoundries® (GF) 22FDX™, une technologie FD-SOI (silicium sur isolant entièrement déplété) de 22 nm destinée aux applications embarquées à faible consommation. La technologie de transistor FD-SOI 22 nm offre des performances comparables à celles des FinFET tout en assurant une excellente efficacité énergétique. La […]

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BiCMOS au SiGe 8XP de 130 nm GlobalFoundries®

CMC Microsystèmes offre l’accès à la technologie de BiCMOS au SiGe de 130 nm à rendement élevé de GlobalFoundries® (GF). Cette technologie est particulièrement appropriée pour la conception de systèmes à signaux mixtes, à vitesse élevée et à faible niveau de bruit. Les solutions éprouvées sur silicium vous permettent d’optimiser les performances, d’intégrer de nombreuses fonctionnalités numériques et de RF et d’exploiter

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BiCMOS au SiGe 9HP de 90 nm de GlobalFoundries®  

CMC Microsystems propose l’accès à la technologie BiCMOS SiGe haute performance 90 nm de GlobalFoundries® (GF). La technologie BiCMOS haute performance 90 nm de GF est particulièrement adaptée à la conception de systèmes logiques et à signaux mixtes à haute vitesse. Le procédé est configuré pour un fonctionnement haute performance à 1,2 V/1,8 V/2,5 V/3,3

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Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (à haute tension)

Cette technologie CMOS de 0,35 µm intègre quatre couches métalliques, des cellules standard numériques, un revêtement antireflet, des photodiodes à haut rendement et un microréusselage en masse. Le service de plaquettes multiprojets de CMC propose cette technologie d’AMS, qui offre également deux autres procédés : Basic et Opto. Détails du procédé haute tension (H35B4D3) Caractéristiques

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Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (opto)

Cette technologie CMOS de 0,35 μm intègre quatre couches métalliques, des cellules standard numériques, un revêtement antireflet, des photodiodes à haut rendement et un microréusselage en masse. Le service de plaquettes multiprojets de CMC propose cette technologie d’AMS, qui offre également deux autres procédés : de base et haute tension. Détails du procédé opto (C35B4O1)

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Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (de base)

Cette technologie CMOS de 0,35 μm intègre quatre couches métalliques, des cellules standard numériques, un revêtement antireflet, des photodiodes à haut rendement et un microréusselage en masse. Le service de plaquettes multiprojets de CMC propose cette technologie d’AMS, qui offre également deux autres procédés : Opto et Haute tension. Détails du procédé de base (C35B4C3)

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Recours à de nouvelles approches pour la procréation assistée

La microfluidique, la microscopie extrêmement puissante et les technologies de fabrication aident Reza Nosrati, PhD, un boursier postdoctoral du CRSNG à l’Université Queen’s, à mettre au point des technologies fonctionnelles simples et abordables afin d’améliorer les chances de succès de la procréation assistée.

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