FAB

Technologies disponibles

Grâce à des partenariats avec des fournisseurs, nous offrons des services de plaquettes multiprojets et des services de fabrication connexes dans une multitude de technologies. Consultez notre horaire de fabrication en ligne.
  • Toutes les technologies de prototypage demeurent ouvertes pour la recherche universitaire internationale et à la R-D industrielle.
  • *La tarification ne comprend pas le soutien technique – communiquez avec fab@cmc.ca pour obtenir des devis. Pous les devis d’exécution dédiés / à volume élevé, communiquez avec sales@cmc.ca.
  • Les universitaires au Canada sont admissibles à des prix réduits avec un abonnement. Vous devez vous connecter à votre compte pour le voir.
Nom du processusCaractéristiquesKits de conception et bibliothèques* Tarifs
Processus de jonction SWAPS en niobium de VTT Triple couche pour jonction et couche métallique supplémentaire7 375 $ (par conception de 5 x 5 mm) Technologies Frl'industrie, Photonique Featured, Photonique, Photonique, Photonique FeaturedProcessus de jonction SWAPS en niobium de VTTProcessus de jonction SWAPS en niobium de VTT
Procédé de fabrication au nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)  
  • SiN, 400 nm sur une couche d’oxyde enfoui (BOX) de 4,5 µm
  • Système de lithographie par faisceau électronique de 100 keV pour guides d’ondes
  • Niveau métallique pour l’acheminement et le chauffeur de métal
Trousse de conception : Siemens L-Edit Photonics pour procédé de fabrication sur nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)4 375 $ (par conception de 9 x 9 mm)Technologies Frl'industrie, Photonique Featured, Photonique, Photonique, Photonique FeaturedProcédé de fabrication au nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)Procédé de fabrication au nitrure de silicium (SiN) d’Applied Nanotools (ANT)
Processus de fabrication NanoSOI d’Applied Nanotools (ANT)   
  • Silicium sur isolant, couche de Si supérieure de 220 nm, BOX de 2 000 nm
  • Système de lithographie par faisceau électronique de 100 keV pour guides d’ondes
  • Niveau métallique pour l’acheminement et le chauffeur de métal
  • Des options d’inclusion d’implants pour modulateurs optiques seront proposées ultérieurement

Remarque : Chaque accès individuel à la technologie exige de lire et de signer une entente de confidentialité propre à la technologie. Si cela n’est pas encore fait, communiquez avec Dr. Susan Xu à ce sujet dès que possible.

Trousse de conception : Mentor Graphics L-Edit Photonics pour procédé de fabrication de photonique sur silicium d’Applied Nanotools4 375 $ (par conception de 9 x 9 mm)Technologies Frl'industrie, Photonique Featured, Photonique, Photonique, Photonique FeaturedProcessus de fabrication NanoSOI d’Applied Nanotools (ANT)Processus de fabrication NanoSOI d’Applied Nanotools (ANT)
Technologie de procédés CMOS de 0,35 µm de TSMC  
  • 3.3 V/5 V
  • 2P4M
550 $ (frais minimum pour une conception de 12 mm2)Technologies Frmicroelectronics fr, TSMCTechnologie de procédés CMOS de 0,35 µm de TSMCTechnologie de procédés CMOS de 0,35 µm de TSMC
Plateforme de capteur électronique  
  • Transistors à effet de champ (TEC) à jonction en silicium avec grille non passivée, ce qui permet le dépôt de matériau de capteur par l’utilisateur
  • Couche d’acheminement métallique, avec substrat de silicium
  • Jusqu’à dix copies par conception (10 mm x 10 mm).  Sous la forme de dés nus ou de pièces mises en boîtier
Trousse de conception : Plateforme de capteur électronique dans L-Edit et Synopsys Sentaurus2 600 $ (par conception de 10 x 10 mm)Technologies Fr3IT, Emerging, Expérimental, MNI, MNI FeaturedPlateforme de capteur électroniquePlateforme de capteur électronique
GLOBALFOUNDRIES 90 nm CMOS-photonics 9WG 
  • Substrat de SOI
  • Structure gravée en V à BEOL éloignée pour fixation de fibre
  • 1P7M
  • LVT
SiPH de 90 nm – 9WG comprend :
  • bibliothèque d’éléments photoniques
  • bibliothèque d’éléments électroniques
  • plage de connexion
Séries de fabrication dédiées exclusivement. Communiquez avec fab@cmc.ca.Technologies FrFonderies mondiales, Photonique, Photonique au silicium, Photonique FeaturedPhotonique sur silicium 9WG de GlobalFoundries®Photonique sur silicium 9WG de GlobalFoundries<sup>®</sup>
Technologie de procédé PolyMUMPS MEMS multi-utilisateur de MEMSCAP  
  • MEMS de surface
  • Trois couches de structure
2 000 $ (par conception de 4.75 x 4.75 mm) Technologies Frl'industrie, MEMS, MEMSCAP, MNI FeaturedTechnologie de procédé PolyMUMPS MEMS multi-utilisateur de MEMSCAPTechnologie de procédé PolyMUMPS MEMS multi-utilisateur de MEMSCAP
GlobalFoundries 90 nm BiCMOS SiGe 9HP
  • 1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V   
  • Procédé 1P10M.  
  • FET natifs/HVT.  
  • Valeurs ft / fmax 310/370GHz.  
  • Technologie de CMOS Well double ou triple (NFET dans un pwell isolé).  
  • Condensateurs MIM à facteur Q élevé / double / MIM.  
  • Inductances spirales en série / parallèle.  
  • Diode à barrière de Schottky / PIN. 
  • 90HPSIGE-9HP  V1.3_0.0
12 350 $ / mm2Technologies FrFonderies mondiales, l'industrie, microelectronics frBiCMOS au SiGe 9HP de 90 nm de GlobalFoundries®  BiCMOS au SiGe 9HP de 90 nm de GlobalFoundries<sup>®</sup>  
GlobalFoundries 45 nm RFSOI
  • 1 V/1.5 V/1.8 V 
  • Procédé 1P8M 
  • FET natifs / HVT / SVT / UVT 
  • Résistor à base de siliciure N+ 
  • Condensateur naturel vertical 
  • Inducteurs BEOL 
  • Varactor à oxyde mince 
  • Valeurs ft / fmax 290/410 GHz 
  • 45RFSOI-RF V1.2_0.2
16 600 $ / mm2Technologies FrFonderies mondiales, l'industrie, microelectronics frRFSOI de 45 nm de GlobalFoundries®RFSOI de 45 nm de GlobalFoundries<sup>®</sup>
GLOBALFOUNDRIES 22FDX FDSOI 22 nm 
  • Tension de cœur nominale de 0,4 V à 0,8 V 
  • Options d’E-S de 1,2 V, 1,5 V ou 1,8 V 
  • Quatre VT dispositifs cœurs (FBB, RBB et eLVT) 
  • BEOL de RF avec piles métalliques très épaisses 
  • Condensateur APMOM 
  • GF22FDX-EXT
31 300 $ / mm2Technologies FrFonderies mondiales, l'industrie, microelectronics frFDSOI 22FDX de 22 nm de GlobalFoundries®FDSOI 22FDX de 22 nm de GlobalFoundries<sup>®</sup> 
GLOBALFOUNDRIES SiGe 8XP BiCMOS 130 nm 
  • Tension de base de 1,2 V ou 2,5 V.
  • Tension d’E-S de 2,5 V ou 3,3 V.
  • Pile de base de 5 métaux avec jusqu’à 8 niveaux de métallisation.
  • FET amélioré à rendement élevé.
  • Valeurs ft/fmax 250/340 GHz.
  • MIM et MIM double.
  • Vt régulier et options de FET avec Well triple.
  • Inductances spirales en série / parallèle.
  • Composants passifs d’ondes micrométriques ou millimétriques.
  • Oxyde de grille double mince/épaisse.
8 125 $ / mm2Technologies FrFonderies mondiales, l'industrie, microelectronics frBiCMOS au SiGe 8XP de 130 nm GlobalFoundries®BiCMOS au SiGe 8XP de 130 nm GlobalFoundries<sup>®</sup>
GlobalFoundries 12 LP  
  • Tensions logiques  Vnom : 0,8 V, Vmax : 0,945 V 
  • 4 VT : SLVT / LVT / RVT / HVT 
  • Offre d’E-S : dispositifs EG de 1,2 V, 1,35 V, 1,5 V et 1,8 V 
  • Résistor Well, résistor MOL de précision, condensateurs MIM / MIM4 / APMOM / MOS / VNCAP, ESD, eFuse, VPNP, VNPN et diodes, inducteurs, lignes de transmissions 
  • Diélectriques à faible K et à très faible K intercalés 
  • Options de mise en boîtier : soudure C4, bosse pilier en cuivre arrondie ou oblongue, micro-bosse pilier
  • GF12lp0_4.0 
  • Bibliothèque de dispositifs 
  • Bibliothèque RF 
  • Bibliothèque ESD
51 525 $ / mm2Technologies FrFonderies mondiales, microelectronics fr, Microélectronique Featured12 LP de GlobalFoundries®12 LP de GlobalFoundries<sup>®</sup>
Plateforme MIDIS de Teledyne DALSA  
  • L'étanchéité sous vide poussé sans piège permet des facteurs Q de résonateur > 20 000
  • L'emballage efficace au niveau des plaquettes minimise la taille globale de la matrice
  • Taille caractéristique de 1,5 μm dans une membrane de 30 μm d'épaisseur
  • Le contrôle de la hauteur du peigne permet une détection hors plan
  • TSV permet une conception compacte prête pour le co-emballage
  • Livre 40 copies pour chaque conception
  • MEMS à cavité scellée
  • Couche de structure de 30 μm
  • Vide poussé
10 550 $ (par conception de 4 x 4 mm2Technologies Frl'industrie, MEMS, TeledynePlateforme MIDIS de Teledyne DALSAPlateforme MIDIS de Teledyne DALSA
TProcessus de Teledyne Micralyne Micralyne MicraGEM-Si™ MEMS  Teledyne DALSA logo
  • Deux couches de structure épaisses SOI avec jusqu'à trois niveaux fonctionnels de l'option d'épaisseur de silicium. Cela permet des structures telles que des actionneurs à entraînement par peigne vertical.
  • Les couches de base et supérieure de l'appareil sont connectées électriquement via l'interface de liaison, permettant le routage 3D des signaux électriques.
  • La métallisation à l'or à faible contrainte à motifs sur la surface supérieure convient aux miroirs hautement réfléchissants et aux plages de contact pour le collage de fils d'or.
  • Taille de conception 4 mm x 4 mm
  • SOI MEMS
  • Deux couches de structure
  • Trois profondeurs de tranchées /li>
Séries de fabrication dédiées exclusivement. Communiquez avec fab@cmc.ca.Technologies FrMEMS, TeledyneProcessus de Teledyne Micralyne Micralyne MicraGEM-Si™ MEMSProcessus de Teledyne Micralyne Micralyne MicraGEM-Si™ MEMS
Technologie de processus de CMOS de 28 nm de TSMC (calcul de haute performance et RF) 
  • 0.9 V (core)/1.8 V (I/O)
  • 1P9M (1P9M_6x1z1u)
  • Grille métallique à valeur K élevée
  • Cellule standard 
16 750 $ / mm2Technologies Frmicroelectronics fr, Microélectronique Featured, TSMCTechnologie de processus de CMOS de 28 nm de TSMC (calcul de haute performance et RF)Technologie de processus de CMOS de 28 nm de TSMC (calcul de haute performance et RF)
Technologie de processus CMOS GP de 0,65 µm de TSMC  
  • 1.0 V/2.5 V
  • 1P9M
  • mim/momcap
  • LVT/native/HVT
7 350 $ / mm2Technologies Frmicroelectronics fr, TSMCTechnologie de processus CMOS GP de 0,65 µm de TSMCTechnologie de processus CMOS GP de 0,65 µm de TSMC
Technologie de processus CMOS LP de 0,65 µm de TSMC 
  • 1.2 V/2.5 V
  • 1P9M
  • mim/momcap
  • LVT/native/HVT
  • Design Library: TSMC 65 nm GP Bond Pad Library - tpbn65v
  • Design Kit: TSMC 65 nm CMOS GP – CRN65LP
  • Design Library: TSMC 65 nm LP Standard Cell Libraries – tcbn65lp
  • Design Library: TSMC 65 nm LP IO Digital Libraries – tpdn65lpnv2
  • Design Library: TSMC 65nm LP IO Analog Libraries - tpan65lpnv2
7 350 $ / mm2Technologies Frmicroelectronics fr, TSMCTechnologie de processus CMOS LP de 0,65 µm de TSMCTechnologie de processus CMOS LP de 0,65 µm de TSMC
Technologie de processus CMOS de 0,18 µm de TSMC  
  • 1.8 V/3.3 V
  • 1P6M
  • mimcap
  • LVT/native/HVT
1 475 $ /mm2Technologies Frmicroelectronics fr, TSMCTechnologie de processus CMOS de 0,18 µm de TSMCTechnologie de processus CMOS de 0,18 µm de TSMC
Processus de signaux mixtes CMOS RF de 0,13 µm de TSMC  
  • 1.2 V/3.3 V
  • 1P8M
  • mimcap
2 800 $ / mm2Technologies Frmicroelectronics fr, TSMCProcessus de signaux mixtes CMOS RF de 0,13 µm de TSMCProcessus de signaux mixtes CMOS RF de 0,13 µm de TSMC
Technologie de processus PiezoMUMPs de MEMSCAP 
  • SOI MEMS
  • Couche de structure de 25um
  • Métal piézoélectrique
2 200 $ (par conception de 4.3 x 4.3 mm) Technologies Frl'industrie, MEMS, MEMSCAPTechnologie de processus PiezoMUMPs de MEMSCAPTechnologie de processus PiezoMUMPs de MEMSCAP
Post-traitement de MEMSCAP pour PolyMUMPs  
  • Libération de HF en option et séchage au dioxyde de carbone supercritique.
  • Permet aux utilisateurs de développer l'acoustique, les capteurs de mouvement, les MEMS optiques, etc.
750 $ (par conception de 4.75 x 4.75 mm)Technologies FrMEMS, MEMSCAP, MNI FeaturedPost-traitement de MEMSCAP pour PolyMUMPsPost-traitement de MEMSCAP pour PolyMUMPs
Compound Semiconductor Epitaxy  
  • Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) 
  • MBE à source de gaz 
  • Dépôt de vapeurs chimiques de métal organique (MMOCVD) 
Voir le formulaire Opto EpitaxyCommuniquez avec fab@cmc.ca.Technologies FrPhotoniqueÉpitaxie à semi-conducteur composéÉpitaxie à semi-conducteur composé
Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (à haute tension) 
  • 3.3 V/5 V/50 V 
  • La trousse 2P4MH35B4D3 comprend : 
    • Cellule standard 
    • E.-S. 
    • Câblage par fil 
1 425 $ / mm2Technologies FrAMS, l'industrie, microelectronics fr, Microélectronique FeaturedTechnologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (à haute tension)Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (à haute tension)
Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (de base)  
  • 3,3 V/ 5 V
  • 2P4M
1 025 $ / mm2Technologies FrAMS, l'industrie, microelectronics frTechnologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (de base)Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (de base)
Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (Opto)
  • 3,3 V / 5 V
  • 2P4M
  • Revêtement antireflet
1 300 $ /mm2Technologies FrAMS, l'industrie, microelectronics frTechnologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (opto)Technologie de procédé de CMOS de 0,35 µm d’AMS (opto)
Procédés de fabrication à usage général de la photonique sur silicium de AMF   
  • SOI, 220 nm Si supérieur, 2 000 nm BOX
  • lithographie de 193 nm pour guides d'ondes
  • 6 implants pour modulateurs optiques
  • Dépôt et implantation d'empreintes génétiques pour les photodétecteurs
  • Deux niveaux de métal pour le routage et le chauffage métallique
21 000 $ (par conception de  3 x 8 mm)Technologies FrAMF Silicon Photonics Fr, l'industrie, Photonique Featured, Photonique, Photonique, Photonique FeaturedProcédés de fabrication à usage général de la photonique sur silicium de AMFProcédés de fabrication à usage général de la photonique sur silicium de AMF
STM 28 nm FD SOI CMOS  ST Microelectronics logo
  • 1.0 V/1.8 V
  • 1P8M
  • pas de mimcap
  • LVT
16 075 $ (frais minimum pour une conception de 1.25 mm2)Technologies Frmicroelectronics fr, Microélectronique Featured, STMSTM 28nm FD SOI CMOSSTM 28nm FD SOI CMOS

CMC SponsorChipMC aide les entreprises à améliorer leurs travaux de recherche et à établir de meilleurs liens avec des chercheurs universitaires.

Retour haut de page
X
Aller au contenu principal